快速退火爐系統加熱功率設計    

    快速退火爐的參數設計中主要是熱工設計即加熱功率設計。把滿足于設備主要技術指標的熱工指標作為已知條件，通過理論計算并考慮適當的功率盈余量去得到相應的燈管加熱總功率。

    與傳統的高溫爐比較，快速退火爐工藝其優點是避免雜質的再擴散，減小晶片處理過程中的熱預算.工藝的基本過程是將待處理的晶片通過傳片機械手送入加熱腔體，在幾秒鐘的時間晶片被升溫到1000℃左右(不同的工藝要求升溫速度與保持溫度有差別)，然后在1000℃的溫度下保持10-15秒，再快速降到溫度后取出。典型的離子注入后退火工藝曲線。從工藝過程可以看出，快速退火爐快速的升溫能力十分關鍵。除此之外，工藝要求硅片在受熱過程中，保證整塊硅晶片表面溫度分布均勻。

    由于現代集成電路關鍵尺寸的不斷縮小，制造工藝對設備提出了更高要求，用于處理200mm晶片以下的快速退火爐，其升溫速率能達到250℃/秒、加熱溫度1250℃,溫度分布均勻性小于0.5%的要求。退火爐要解決這些問題首先從熱源設計入手。